IGBT on bipolaaritransistori eristetyllä hilaelektrodilla. IGBT-lyhenne muodostuu sanoista Insulated Gate Bipolar Transistor. Tällaisia puolijohderakenneosia käytetään yhä useammin tehoelektroniikassa, sillä ne yhdistävät kahdenlaisten transistorien edut: kanavatransistorin ohjattavuuden helppouden, korkean läpilyöntijännitteen sekä bipolaaritransistorien nopean vaihtamisen. Lisäetuna on, että transistori kestää hyvin oikosulkuja, sillä IGBT rajoittaa sähkövirtaa. IGBT on MOS-FET-teknologian kehittyneempi muoto.

Tehokkaat tuulettimet poistavat lämmön rungosta ihanteellisesti.

Plasmaleikkauksessa tarvitaan kaasua, jolla sulanut metalli poistetaan leikkauskohdasta. Tähän tarkoitukseen käytetään yleensä paineilmaa, ja siksi plasmaleikkureissa onkin kompressoriliitäntä.

Jokaisen hitsauskoneen takapuolella on ruuvi maadoitusmerkinnällä. Ennen käyttöä laite tulee maadoittaa kaapelilla, jonka halkaisija on vähintään 6 mm.

Laite toimii kolmivaihevirtaliitännällä (400 V +/- 10 %).

Hitsaaminen alkaa polttokytkintä painettaessa ja loppuu kytkimen vapauduttua.

Plasmavalokaari sulattaa metallin ja puhaltaa sen paineilman liike-energialla sivuun.

Näyttää hitsaus- tai leikkausparametrit.

Ylikuumenemisen tai häiriön aikana LED-valo syttyy.

Merkkivalo syttyy, jos yksi virran vaihe lakkaa toimimasta.

Ilmoittaa paineilman arvon, jonka kompressori syöttää plasmaleikkuriin. Plasmaleikkurissa on paineen alentaja, jolla paineilmaa säädetään.